Menu
Wyszukiwarka
Promocje
Zaloguj się
Opcje przeglądania
Kategorie
Typ obudowy
Prąd Id
Biegunowość
Montaż
Typ tranzystora
Cena
-
od
do
2N3772 Tranzystor bipolarny NPN 60V 20A 150W TO3
Tranzystor bipolarny NPN 60V 20A 150W hFE:5-60 w obudowie TO3
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
BCR562 Tranzystor bipolarny SMD PNP 50V 0.5A SOT23
Tranzystor bipolarny digital SMD PNP 50V 0.5A 0.33W hFE>60 w obudowie SOT23
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
BCV26 Tranzystor bipolarny PNP-Darlington 30V 0.5A SOT23
Tranzystor bipolarny PNP-Darlington 30V 0.5A 0.25W B>4000 w obudowie SOT23
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
BD135-16 Tranzystor bipolarny NPN 45V 1.5A 12.5W TO126
Tranzystor bipolarny NPN 45V 1.5A 12.5W hFE:100-250 w obudowie TO126
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
BDP953 Tranzystor bipolarny SMD NPN 100V 3A 5W SOT223
Tranzystor bipolarny SMD NPN 100V 3A 5W hFE:100-475 w obudowie SOT223
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
BFP540 Tranzystor bipolarny NPN SMD 4.5V 0.08A 30GHz SOT343R
Tranzystor bipolarny NPN SMD 4.5V 0.08A 0.25W 30GHz w obudowie SOT343R
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
BSV52 Tranzystor bipolarny SMD 12V 100mA SOT23
Tranzystor bipolarny SMD 12V 100mA w obudowie SOT23
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
IRF530N Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 17A 79W TO220AB
Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 17A 79W 90mR w obudowie TO220AB.
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
IRF7104 Tranzystor polowy 2xP-MOSFET 20V 2.3A 2.0W SO8
Tranzystor polowy 2xP-MOSFET 20V 2.3A 2.0W 7.5mR w obudowie SO8
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
IRF7343 Tranzystor polowy N+P-MOSFET 55V 4.7A 2W SO8
Tranzystor polowy N+P-MOSFET 55V 4.7A 2W 65mR w obudowie SO8
Dostępność: brak towaru
Tranzystor to najczęściej trzy końcówkowy element półprzewodnikowy za pomocą, którego steruje się przepływem dużego prądu przy pomocy prądu mniejszego czyli działa podobnie jak przełącznik. Umożliwia on również przepływ i wzmacnianie sygnału cyfrowego. Tranzystory mogą występować w rożnego typu obudowach. Różnią się między sobą parametrami.
Oferujemy następujące typy tranzystorów:
• bipolarne zbudowane z trzech warstw półprzewodnika o przewodnictwach typu n-p-n lub p-n-p. W zależności od punktu pracy, tranzystory mogą być w stanie nasycenia, aktywnym, zatkania lub inwersyjnym. W związku z tym mogą pracować jako przełączniki lub wzmacniacze. Stosowane najczęściej w układach zasilanych niskim napięciem.
• unipolarne ( polowe ) stosowane często jako klucze włączające rożnego typu podzespoły, gdzie wymagane jest sterowanie dużymi obciążeniami. Prąd płynący w tych tranzystorach zależy od wartości przyłożonego napięcia. Mogą one występować z kanałem typu N lub P. Tranzystory polowe FET dzielimy na złączowe (JFET) lub z izolowaną bramką (MOSFET). Do głównych parametrów tranzystorów unipolarnych zaliczany: rezystancję otwartego drenu, maksymalny prąd drenu, maksymalne napięcie bramka- źródło, maksymalną moc strat.
• IGBT to połączenie tranzystora bipolarnego i MOSFET. Mają małą oporność w stanie włączenia i łatwo nimi sterować poprzez zmianę potencjału izolowanej bramki. Tranzystory tego typu najczęściej wykorzystywane są w przekształtnikach i falownikach, gdzie mogą być przełączane z dużą szybkością.