Wersje językowe
Darmowa dostawa
Darmowa dostawa (Kurier UPS) już od 250,00 zł.
Promocje
Z1SMA9V1 Dioda Zenera SMD 1.3W 9,1V DO214AC
Z1SMA9V1 Dioda Zenera SMD 1.3W 9,1V DO214AC
0,75 zł 0,49 zł 0,61 zł 0,40 zł
szt.
Z1SMA8V2 Dioda Zenera SMD 1.3W 8.2V DO214AC
Z1SMA8V2 Dioda Zenera SMD 1.3W 8.2V DO214AC
0,75 zł 0,53 zł 0,61 zł 0,43 zł
szt.
Z1SMA6V2 Dioda Zenera SMD 1.3W 6.2V DO214AC
Z1SMA6V2 Dioda Zenera SMD 1.3W 6.2V DO214AC
0,75 zł 0,53 zł 0,61 zł 0,43 zł
szt.
BZX84C6V8 Dioda Zenera SMD 0.3W 6,8V SOT23
BZX84C6V8 Dioda Zenera SMD 0.3W 6,8V SOT23
0,06 zł 0,03 zł 0,05 zł 0,02 zł
szt.
BZX84C4V7 Dioda Zenera SMD 0.3W 4,7V SOT23
BZX84C4V7 Dioda Zenera SMD 0.3W 4,7V SOT23
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
BZX84C10 Dioda Zenera SMD 0.3W 10V SOT23
BZX84C10 Dioda Zenera SMD 0.3W 10V SOT23
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
BZX55C7V5 Dioda Zenera 0.5W 7,5V DO35
BZX55C7V5 Dioda Zenera 0.5W 7,5V DO35
0,06 zł 0,03 zł 0,05 zł 0,02 zł
szt.
BZX55C5V6 Dioda Zenera 0.5W 5,6V DO35
BZX55C5V6 Dioda Zenera 0.5W 5,6V DO35
0,06 zł 0,03 zł 0,05 zł 0,02 zł
szt.
BZX55C43 Dioda Zenera 0.5W 43V DO35
BZX55C43 Dioda Zenera 0.5W 43V DO35
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
BZX55C33 Dioda Zenera 0.5W 33V DO35
BZX55C33 Dioda Zenera 0.5W 33V DO35
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
BZX55C24 Dioda Zenera 0.5W 24V DO35
BZX55C24 Dioda Zenera 0.5W 24V DO35
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
BZX55C11 Dioda Zenera 0.5W 11V DO35
BZX55C11 Dioda Zenera 0.5W 11V DO35
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
Zaloguj się
Nie pamiętasz hasła? Zarejestruj się

2N3772 Tranzystor bipolarny NPN 60V 20A 150W TO3

2N3772 Tranzystor bipolarny NPN 60V 20A 150W TO3
2N3772 Tranzystor bipolarny NPN 60V 20A 150W TO3

Tranzystor bipolarny NPN 60V 20A 150W hFE:5-60 w obudowie TO3

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: 2N3772
Cena: 4,69 zł 6,70 zł (netto: 3,81 zł 5,45 zł )
szt.
  • promocja

BCR562 Tranzystor bipolarny SMD PNP 50V 0.5A SOT23

BCR562 Tranzystor bipolarny SMD PNP 50V 0.5A SOT23
BCR562 Tranzystor bipolarny SMD PNP 50V 0.5A SOT23

Tranzystor bipolarny digital SMD PNP 50V 0.5A 0.33W hFE>60 w obudowie SOT23

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: BCR562
Cena: 0,12 zł 0,17 zł (netto: 0,10 zł 0,14 zł )
szt.
  • promocja

BCV26 Tranzystor bipolarny PNP-Darlington 30V 0.5A SOT23

BCV26 Tranzystor bipolarny PNP-Darlington 30V 0.5A SOT23
BCV26 Tranzystor bipolarny PNP-Darlington 30V 0.5A SOT23

Tranzystor bipolarny PNP-Darlington 30V 0.5A 0.25W B>4000 w obudowie SOT23

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: BCV26
Cena: 0,12 zł 0,17 zł (netto: 0,10 zł 0,14 zł )
szt.
  • promocja

BD135-16 Tranzystor bipolarny NPN 45V 1.5A 12.5W TO126

BD135-16 Tranzystor bipolarny NPN 45V 1.5A 12.5W TO126
BD135-16 Tranzystor bipolarny NPN 45V 1.5A 12.5W TO126

Tranzystor bipolarny NPN 45V 1.5A 12.5W hFE:100-250 w obudowie TO126

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: BD135-16
Cena: 0,27 zł 0,39 zł (netto: 0,22 zł 0,32 zł )
szt.
  • promocja

BDP953 Tranzystor bipolarny SMD NPN 100V 3A 5W SOT223

BDP953 Tranzystor bipolarny SMD NPN 100V 3A 5W SOT223
BDP953 Tranzystor bipolarny SMD NPN 100V 3A 5W SOT223

Tranzystor bipolarny SMD NPN 100V 3A 5W hFE:100-475 w obudowie SOT223

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: BDP953
Cena: 1,05 zł 1,50 zł (netto: 0,85 zł 1,22 zł )
szt.
  • promocja

BFP540 Tranzystor bipolarny NPN SMD 4.5V 0.08A 30GHz SOT343R

BFP540 Tranzystor bipolarny NPN SMD 4.5V 0.08A 30GHz SOT343R
BFP540 Tranzystor bipolarny NPN SMD 4.5V 0.08A 30GHz SOT343R

Tranzystor bipolarny NPN SMD 4.5V 0.08A 0.25W 30GHz w obudowie SOT343R

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: BFP540
Cena: 0,90 zł 2,30 zł (netto: 0,73 zł 1,87 zł )
szt.
  • promocja

BSV52 Tranzystor bipolarny SMD 12V 100mA SOT23

BSV52 Tranzystor bipolarny SMD 12V 100mA SOT23
BSV52 Tranzystor bipolarny SMD 12V 100mA SOT23

Tranzystor bipolarny SMD 12V 100mA w obudowie SOT23

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: BSV52
Cena: 0,34 zł 0,49 zł (netto: 0,28 zł 0,40 zł )
szt.
  • promocja

IRF530N Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 17A 79W TO220AB

IRF530N Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 17A 79W TO220AB
IRF530N Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 17A 79W TO220AB

Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 17A 79W 90mR w obudowie TO220AB.

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: IRF530NPBF
Cena: 0,89 zł 1,59 zł (netto: 0,72 zł 1,29 zł )
szt.
  • promocja

IRF7104 Tranzystor polowy 2xP-MOSFET 20V 2.3A 2.0W SO8

IRF7104 Tranzystor polowy 2xP-MOSFET 20V 2.3A 2.0W SO8
IRF7104 Tranzystor polowy 2xP-MOSFET 20V 2.3A 2.0W SO8

Tranzystor polowy 2xP-MOSFET 20V 2.3A 2.0W 7.5mR w obudowie SO8

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: IRF7104PBF
Cena: 0,50 zł 1,29 zł (netto: 0,41 zł 1,05 zł )
szt.
  • promocja

IRF7343 Tranzystor polowy N+P-MOSFET 55V 4.7A 2W SO8

IRF7343 Tranzystor polowy N+P-MOSFET 55V 4.7A 2W SO8
IRF7343 Tranzystor polowy N+P-MOSFET 55V 4.7A 2W SO8

Tranzystor polowy N+P-MOSFET 55V 4.7A 2W 65mR w obudowie SO8

Dostępność: brak towaru

Kod produktu: IRF7343PBF
Cena: 0,97 zł 1,39 zł (netto: 0,79 zł 1,13 zł )
  • promocja

Tranzystor to najczęściej trzy końcówkowy element półprzewodnikowy za pomocą, którego steruje się przepływem dużego prądu przy pomocy prądu mniejszego czyli działa podobnie jak przełącznik. Umożliwia on również przepływ i wzmacnianie sygnału cyfrowego. Tranzystory mogą występować w rożnego typu obudowach. Różnią się między sobą parametrami.

Oferujemy następujące typy tranzystorów:

• bipolarne zbudowane z trzech warstw półprzewodnika o przewodnictwach typu n-p-n lub p-n-p. W zależności od punktu pracy, tranzystory mogą być w stanie nasycenia, aktywnym, zatkania lub inwersyjnym. W związku z tym mogą pracować jako przełączniki lub wzmacniacze. Stosowane najczęściej w układach zasilanych niskim napięciem.

• unipolarne ( polowe ) stosowane często jako klucze włączające rożnego typu podzespoły, gdzie wymagane jest sterowanie dużymi obciążeniami. Prąd płynący w tych tranzystorach zależy od wartości przyłożonego napięcia. Mogą one występować z kanałem typu N lub P. Tranzystory polowe FET dzielimy na złączowe (JFET) lub z izolowaną bramką (MOSFET). Do głównych parametrów tranzystorów unipolarnych zaliczany: rezystancję otwartego drenu, maksymalny prąd drenu, maksymalne napięcie bramka- źródło, maksymalną moc strat.

• IGBT to połączenie tranzystora bipolarnego i MOSFET. Mają małą oporność w stanie włączenia i łatwo nimi sterować poprzez zmianę potencjału izolowanej bramki. Tranzystory tego typu najczęściej wykorzystywane są w przekształtnikach i falownikach, gdzie mogą być przełączane z dużą szybkością.




do góry
Sklep jest w trybie podglądu
Pokaż pełną wersję strony
Sklep internetowy Shoper.pl