Wersje językowe
Darmowa dostawa
Darmowa dostawa (Kurier UPS) już od 250,00 zł.
Promocje
S1M Dioda prostownicza SMD 1000V 1A DO214AC
S1M Dioda prostownicza SMD 1000V 1A DO214AC
0,06 zł 0,03 zł 0,05 zł 0,02 zł
szt.
Z1SMA9V1 Dioda Zenera SMD 1.3W 9,1V DO214AC
Z1SMA9V1 Dioda Zenera SMD 1.3W 9,1V DO214AC
0,75 zł 0,49 zł 0,61 zł 0,40 zł
szt.
Z1SMA8V2 Dioda Zenera SMD 1.3W 8.2V DO214AC
Z1SMA8V2 Dioda Zenera SMD 1.3W 8.2V DO214AC
0,75 zł 0,53 zł 0,61 zł 0,43 zł
szt.
Z1SMA6V2 Dioda Zenera SMD 1.3W 6.2V DO214AC
Z1SMA6V2 Dioda Zenera SMD 1.3W 6.2V DO214AC
0,75 zł 0,53 zł 0,61 zł 0,43 zł
szt.
BZX84C6V8 Dioda Zenera SMD 0.3W 6,8V SOT23
BZX84C6V8 Dioda Zenera SMD 0.3W 6,8V SOT23
0,06 zł 0,03 zł 0,05 zł 0,02 zł
szt.
BZX84C4V7 Dioda Zenera SMD 0.3W 4,7V SOT23
BZX84C4V7 Dioda Zenera SMD 0.3W 4,7V SOT23
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
BZX84C10 Dioda Zenera SMD 0.3W 10V SOT23
BZX84C10 Dioda Zenera SMD 0.3W 10V SOT23
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
BZX55C7V5 Dioda Zenera 0.5W 7,5V DO35
BZX55C7V5 Dioda Zenera 0.5W 7,5V DO35
0,06 zł 0,03 zł 0,05 zł 0,02 zł
szt.
BZX55C5V6 Dioda Zenera 0.5W 5,6V DO35
BZX55C5V6 Dioda Zenera 0.5W 5,6V DO35
0,06 zł 0,03 zł 0,05 zł 0,02 zł
szt.
BZX55C43 Dioda Zenera 0.5W 43V DO35
BZX55C43 Dioda Zenera 0.5W 43V DO35
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
BZX55C33 Dioda Zenera 0.5W 33V DO35
BZX55C33 Dioda Zenera 0.5W 33V DO35
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
BZX55C24 Dioda Zenera 0.5W 24V DO35
BZX55C24 Dioda Zenera 0.5W 24V DO35
0,06 zł 0,04 zł 0,05 zł 0,03 zł
szt.
Zaloguj się
Nie pamiętasz hasła? Zarejestruj się

IRG4PH40UD Tranzystor IGBT 1200V 41A 160W TO247

IRG4PH40UD Tranzystor IGBT 1200V 41A 160W TO247
IRG4PH40UD Tranzystor IGBT 1200V 41A 160W TO247

Tranzystor IGBT 1200V 41A 160W w obudowie TO247

Dostępność: mała ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: IRG4PH40UDPBF
Cena: 5,94 zł 8,49 zł (netto: 4,83 zł 6,90 zł )
szt.
  • promocja

2N3772 Tranzystor bipolarny NPN 60V 20A 150W TO3

2N3772 Tranzystor bipolarny NPN 60V 20A 150W TO3
2N3772 Tranzystor bipolarny NPN 60V 20A 150W TO3

Tranzystor bipolarny NPN 60V 20A 150W hFE:5-60 w obudowie TO3

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: 2N3772
Cena: 4,69 zł 6,70 zł (netto: 3,81 zł 5,45 zł )
szt.
  • promocja

IRFP460 Tranzystor polowy N-MOSFET 500V 20A 280W TO247

IRFP460 Tranzystor polowy N-MOSFET 500V 20A 280W TO247
IRFP460 Tranzystor polowy N-MOSFET 500V 20A 280W TO247

Tranzystor polowy N-MOSFET 500V 20A 280W 270mR w obudowie TO247

Dostępność: mała ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: IRFP460PBF
Cena: 4,50 zł 6,99 zł (netto: 3,66 zł 5,68 zł )
szt.
  • promocja

IRL640S Tranzystor polowy N-MOSFET 200V 17A 125W D2PAK

IRL640S Tranzystor polowy N-MOSFET 200V 17A 125W D2PAK
IRL640S Tranzystor polowy N-MOSFET 200V 17A 125W D2PAK

Tranzystor polowy N-MOSFET 200V 17A 125W 180mR w obudowie D2PAK.

Dostępność: średnia ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: IRL640SPBF
Cena: 3,15 zł 4,50 zł (netto: 2,56 zł 3,66 zł )
szt.
  • promocja

MJE15030 Tranzystor bipolarny NPN 150V 8A 50W hFE>20 TO220AB

MJE15030 Tranzystor bipolarny NPN 150V 8A 50W hFE>20 TO220AB
MJE15030 Tranzystor bipolarny NPN 150V 8A 50W hFE>20 TO220AB

Tranzystor bipolarny NPN 150V 8A 50W hFE>20 w obudowie TO220AB.

Dostępność: mała ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: MJE15030
Cena: 2,09 zł 2,99 zł (netto: 1,70 zł 2,43 zł )
szt.
  • promocja

IRFBG20 Tranzystor polowy N-MOSFET 1000V 1.4A 54W TO220AB

IRFBG20 Tranzystor polowy N-MOSFET 1000V 1.4A 54W TO220AB
IRFBG20 Tranzystor polowy N-MOSFET 1000V 1.4A 54W TO220AB

Tranzystor polowy N-MOSFET 1000V 1.4A 54W 11R w obudowie TO220AB.

Dostępność: mała ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: IRFBG20PBF
Cena: 2,09 zł 2,99 zł (netto: 1,70 zł 2,43 zł )
szt.
  • promocja

IRFI540N Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 18A 54W TO220FP

IRFI540N Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 18A 54W TO220FP
IRFI540N Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 18A 54W TO220FP

Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 18A 54W w obudowie TO220-FULLPAK

Dostępność: średnia ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: IRFI540NPBF
Cena: 1,81 zł 2,59 zł (netto: 1,47 zł 2,11 zł )
szt.
  • promocja

SI4840BDY Tranzystor polowy N-MOSFET 40V 19A 6W SO8

SI4840BDY Tranzystor polowy N-MOSFET 40V 19A 6W SO8
SI4840BDY Tranzystor polowy N-MOSFET 40V 19A 6W SO8

Tranzystor polowy N-MOSFET 40V 19A 6W 9mR w obudowie SO8

Dostępność: duża ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: SI4840BDY
Cena: 1,67 zł 2,39 zł (netto: 1,36 zł 1,94 zł )
szt.
  • promocja

IRL530NS Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 17A 79W D2PAK

IRL530NS Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 17A 79W D2PAK
IRL530NS Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 17A 79W D2PAK

Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 17A 79W 100mR w obudowie D2PAK.

Dostępność: mała ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: IRL530NSPBF
Cena: 1,65 zł 2,35 zł (netto: 1,34 zł 1,91 zł )
szt.
  • promocja

IRLR7807Z Tranzystor polowy N-MOSFET 30V 43A 40W DPAK

IRLR7807Z Tranzystor polowy N-MOSFET 30V 43A 40W DPAK
IRLR7807Z Tranzystor polowy N-MOSFET 30V 43A 40W DPAK

Tranzystor polowy N-MOSFET 30V 43A 40W 13.8mR w obudowie TO252AA (DPAK)

Dostępność: mała ilość

Wysyłka w: 24 godziny

Kod produktu: IRLR7807ZPBF
Cena: 1,39 zł 1,99 zł (netto: 1,13 zł 1,62 zł )
szt.
  • promocja

Tranzystor to najczęściej trzy końcówkowy element półprzewodnikowy za pomocą, którego steruje się przepływem dużego prądu przy pomocy prądu mniejszego czyli działa podobnie jak przełącznik. Umożliwia on również przepływ i wzmacnianie sygnału cyfrowego. Tranzystory mogą występować w rożnego typu obudowach. Różnią się między sobą parametrami.

Oferujemy następujące typy tranzystorów:

• bipolarne zbudowane z trzech warstw półprzewodnika o przewodnictwach typu n-p-n lub p-n-p. W zależności od punktu pracy, tranzystory mogą być w stanie nasycenia, aktywnym, zatkania lub inwersyjnym. W związku z tym mogą pracować jako przełączniki lub wzmacniacze. Stosowane najczęściej w układach zasilanych niskim napięciem.

• unipolarne ( polowe ) stosowane często jako klucze włączające rożnego typu podzespoły, gdzie wymagane jest sterowanie dużymi obciążeniami. Prąd płynący w tych tranzystorach zależy od wartości przyłożonego napięcia. Mogą one występować z kanałem typu N lub P. Tranzystory polowe FET dzielimy na złączowe (JFET) lub z izolowaną bramką (MOSFET). Do głównych parametrów tranzystorów unipolarnych zaliczany: rezystancję otwartego drenu, maksymalny prąd drenu, maksymalne napięcie bramka- źródło, maksymalną moc strat.

• IGBT to połączenie tranzystora bipolarnego i MOSFET. Mają małą oporność w stanie włączenia i łatwo nimi sterować poprzez zmianę potencjału izolowanej bramki. Tranzystory tego typu najczęściej wykorzystywane są w przekształtnikach i falownikach, gdzie mogą być przełączane z dużą szybkością.




do góry
Sklep jest w trybie podglądu
Pokaż pełną wersję strony
Sklep internetowy Shoper.pl