Wersje językowe
Darmowa dostawa
Darmowa dostawa (Kurier UPS) już od 250,00 zł.
Promocje
SS24 Dioda Schottky SMD 2A 40V DO214AA
SS24 Dioda Schottky SMD 2A 40V DO214AA
0,19 zł 0,17 zł 0,15 zł 0,14 zł
szt.
P6SMB6.8A Dioda transil SMD 600W 6.8V jednokierunkowa DO214AA
P6SMB6.8A Dioda transil SMD 600W 6.8V jednokierunkowa DO214AA
0,45 zł 0,41 zł 0,37 zł 0,33 zł
szt.
BZX55C33 Dioda Zenera 0.5W 33V DO35
BZX55C33 Dioda Zenera 0.5W 33V DO35
0,06 zł 0,05 zł 0,05 zł 0,04 zł
szt.
BC556B Tranzystor bipolarny PNP 0.1A 65V 0.5W TO92
BC556B Tranzystor bipolarny PNP 0.1A 65V 0.5W TO92
0,10 zł 0,09 zł 0,08 zł 0,07 zł
szt.
IRFP460 Tranzystor polowy N-MOSFET 500V 20A 280W TO247
IRFP460 Tranzystor polowy N-MOSFET 500V 20A 280W TO247
6,99 zł 6,29 zł 5,68 zł 5,11 zł
szt.
DSPIC30F2010 Mikrokontroler 16-BIT 120MHz SO28
DSPIC30F2010 Mikrokontroler 16-BIT 120MHz SO28
12,90 zł 11,61 zł 10,49 zł 9,44 zł
szt.
MC33064P Układ nadzorujący monitor zerowania 4.61V TO92
MC33064P Układ nadzorujący monitor zerowania 4.61V TO92
1,30 zł 1,17 zł 1,06 zł 0,95 zł
szt.
TLE2071 Wzmacniacz operacyjny 10MHz 70dB SO8
TLE2071 Wzmacniacz operacyjny 10MHz 70dB SO8
4,90 zł 4,41 zł 3,98 zł 3,59 zł
szt.
Bezpiecznik polimerowy PTC 60V 200mA
Bezpiecznik polimerowy PTC 60V 200mA
0,50 zł 0,45 zł 0,41 zł 0,37 zł
szt.
Dławik osiowy 100uH 3x7mm 10%
Dławik osiowy 100uH 3x7mm 10%
0,19 zł 0,16 zł 0,15 zł 0,13 zł
szt.
Dławik drutowy SMD0805 2.2uH 50mA
Dławik drutowy SMD0805 2.2uH 50mA
0,25 zł 0,21 zł 0,20 zł 0,17 zł
szt.
Kondensator ceramiczny SMD 0805 150pF 50V NPO ±5%
Kondensator ceramiczny SMD 0805 150pF 50V NPO ±5%
0,02 zł 0,02 zł 0,02 zł 0,02 zł
szt.
Zaloguj się
Nie pamiętasz hasła? Zarejestruj się

IRF7104 Tranzystor polowy 2xP-MOSFET 20V 2.3A 2.0W SO8

soic8.jpg
  • promocja
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
Dostawa: Cena nie zawiera ewentualnych kosztów płatności sprawdź formy dostawy
Cena: 1,16 zł 1,29 zł 1.16
Cena netto: 0,94 zł 1,05 zł
ilość szt.
dodaj do przechowalni
Ocena: 0
Producent: VISHAY
Kod produktu: IRF7104PBF

Opis

Tranzystor polowy MOSFET z 2 kanałami P o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 20V i prądzie drenu 2,3A. Dopuszczalna strata mocy 2W. Rezystancja w stanie przewodzenia 7,5mΩ. Wykonany w obudowie SO-8 przystosowanej do montażu powierzchniowego SMD.

Dane techniczne

Typ obudowy SO8
Prąd Id 2,3 A
Napięcie Uds 20 V
Biegunowość P-kanał
Montaż SMD
Typ tranzystora MOSFET

Koszty dostawy Cena nie zawiera ewentualnych kosztów płatności

Kraj wysyłki:

Opinie o produkcie (0)

do góry
Sklep jest w trybie podglądu
Pokaż pełną wersję strony
Sklep internetowy Shoper.pl