Wersje językowe
Darmowa dostawa
Darmowa dostawa (Kurier UPS) już od 250,00 zł.
Promocje
SS16 Dioda Schottky SMD 1A 60V DO214AC
SS16 Dioda Schottky SMD 1A 60V DO214AC
0,09 zł 0,08 zł 0,07 zł 0,07 zł
szt.
P6SMB18CA Dioda transil SMD 600W 18V dwukierunkowa DO214AA
P6SMB18CA Dioda transil SMD 600W 18V dwukierunkowa DO214AA
0,45 zł 0,41 zł 0,37 zł 0,33 zł
szt.
BZX55C24 Dioda Zenera 0.5W 24V DO35
BZX55C24 Dioda Zenera 0.5W 24V DO35
0,06 zł 0,05 zł 0,05 zł 0,04 zł
szt.
BC327-25 Tranzystor bipolarny PNP 0.8A 45V 0.625W TO92
BC327-25 Tranzystor bipolarny PNP 0.8A 45V 0.625W TO92
0,19 zł 0,17 zł 0,15 zł 0,14 zł
szt.
IRFL014N Tranzystor polowy N-MOSFET 55V 1.9A 2.1W SOT223
IRFL014N Tranzystor polowy N-MOSFET 55V 1.9A 2.1W SOT223
1,09 zł 0,98 zł 0,89 zł 0,80 zł
szt.
PIC12F683 Mikrokontroler 8-BIT 20MHz SO8
PIC12F683 Mikrokontroler 8-BIT 20MHz SO8
3,59 zł 3,23 zł 2,92 zł 2,63 zł
szt.
MAX811 Układ nadzorujący monitor zerowania 4.63V SMD SOT143
MAX811 Układ nadzorujący monitor zerowania 4.63V SMD SOT143
2,10 zł 1,89 zł 1,71 zł 1,54 zł
szt.
TLC27L2 Wzmacniacz operacyjny 2-kanałowy CMOS 3-16V SO8
TLC27L2 Wzmacniacz operacyjny 2-kanałowy CMOS 3-16V SO8
0,95 zł 0,86 zł 0,77 zł 0,70 zł
szt.
Bezpiecznik polimerowy PTC 60V 100mA
Bezpiecznik polimerowy PTC 60V 100mA
0,50 zł 0,45 zł 0,41 zł 0,37 zł
szt.
Dławik osiowy 1000uH 3x7mm 10%
Dławik osiowy 1000uH 3x7mm 10%
0,19 zł 0,16 zł 0,15 zł 0,13 zł
szt.
Dławik drutowy SMD1210 100uH 60mA
Dławik drutowy SMD1210 100uH 60mA
0,45 zł 0,38 zł 0,37 zł 0,31 zł
szt.
Kondensator ceramiczny SMD 0603 12pF 50V COG ±5%
Kondensator ceramiczny SMD 0603 12pF 50V COG ±5%
0,01 zł 0,01 zł 0,01 zł 0,01 zł
szt.
Zaloguj się
Nie pamiętasz hasła? Zarejestruj się

SI4840BDY Tranzystor polowy N-MOSFET 40V 19A 6W SO8

soic8.jpg
  • promocja
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
Dostawa: Cena nie zawiera ewentualnych kosztów płatności sprawdź formy dostawy
Cena: 2,15 zł 2,39 zł 2.15
Cena netto: 1,75 zł 1,94 zł
ilość szt.
dodaj do przechowalni
Ocena: 0
Producent: VISHAY
Kod produktu: SI4840BDY

Opis

Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 40V i prądzie drenu 19A. Dopuszczalna strata mocy 6W. Rezystancja w stanie przewodzenia 9mΩ. Wykonany w obudowie SO-8 przystosowanej do montażu powierzchniowego SMD.

Dane techniczne

Typ obudowy SO8
Prąd Id 19 A
Napięcie Uds 40 V
Biegunowość N-kanał
Montaż SMD
Typ tranzystora MOSFET

Koszty dostawy Cena nie zawiera ewentualnych kosztów płatności

Kraj wysyłki:

Opinie o produkcie (0)

do góry
Sklep jest w trybie podglądu
Pokaż pełną wersję strony
Sklep internetowy Shoper.pl