Wersje językowe
Darmowa dostawa
Darmowa dostawa (Kurier UPS) już od 250,00 zł.
Promocje
SS24 Dioda Schottky SMD 2A 40V DO214AA
SS24 Dioda Schottky SMD 2A 40V DO214AA
0,19 zł 0,13 zł 0,15 zł 0,11 zł
szt.
BZV55C11 Dioda Zenera SMD 0.5W 11V miniMELF (SOD80)
BZV55C11 Dioda Zenera SMD 0.5W 11V miniMELF (SOD80)
0,06 zł 0,02 zł 0,05 zł 0,02 zł
szt.
BZX55C5V6 Dioda Zenera 0.5W 5,6V DO35
BZX55C5V6 Dioda Zenera 0.5W 5,6V DO35
0,06 zł 0,03 zł 0,05 zł 0,02 zł
szt.
BFP540 Tranzystor bipolarny NPN SMD 4.5V 0.08A 30GHz SOT343R
BFP540 Tranzystor bipolarny NPN SMD 4.5V 0.08A 30GHz SOT343R
2,30 zł 0,90 zł 1,87 zł 0,73 zł
szt.
MJE15030 Tranzystor bipolarny NPN 150V 8A 50W hFE>20 TO220AB
MJE15030 Tranzystor bipolarny NPN 150V 8A 50W hFE>20 TO220AB
2,99 zł 2,09 zł 2,43 zł 1,70 zł
szt.
MAX707 Układ nadzorujący monitor zerowania 4.65V SO8
MAX707 Układ nadzorujący monitor zerowania 4.65V SO8
3,57 zł 2,14 zł 2,90 zł 1,74 zł
szt.
TL084 wzmacniacz operacyjny 3MHz SO14
TL084 wzmacniacz operacyjny 3MHz SO14
0,69 zł 0,41 zł 0,56 zł 0,33 zł
szt.
SN75175N 4 odbiorniki linii RS422, RS423, RS485 DIP16
SN75175N 4 odbiorniki linii RS422, RS423, RS485 DIP16
1,97 zł 0,75 zł 1,60 zł 0,61 zł
szt.
Dławik osiowy 100uH 3x7mm 10%
Dławik osiowy 100uH 3x7mm 10%
0,19 zł 0,05 zł 0,15 zł 0,04 zł
szt.
Dławik drutowy SMD1210 2.2uH 320mA
Dławik drutowy SMD1210 2.2uH 320mA
0,45 zł 0,23 zł 0,37 zł 0,19 zł
szt.
Kondensator ceramiczny 2.7pF 50V 2.54mm
Kondensator ceramiczny 2.7pF 50V 2.54mm
0,02 zł 0,01 zł 0,02 zł 0,01 zł
szt.
Kondensator ceramiczny 2.2nF 1kV 5mm
Kondensator ceramiczny 2.2nF 1kV 5mm
0,10 zł 0,06 zł 0,08 zł 0,05 zł
szt.
Zaloguj się
Nie pamiętasz hasła? Zarejestruj się

SI4840BDY Tranzystor polowy N-MOSFET 40V 19A 6W SO8

soic8.jpg
  • promocja
Dostępność: duża ilość
Wysyłka w: 24 godziny
Dostawa: Cena nie zawiera ewentualnych kosztów płatności sprawdź formy dostawy
Cena: 1,67 zł 2,39 zł 1.67
Cena netto: 1,36 zł 1,94 zł
ilość szt.
dodaj do przechowalni
Ocena: 0
Producent: VISHAY
Kod produktu: SI4840BDY

Opis

Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 40V i prądzie drenu 19A. Dopuszczalna strata mocy 6W. Rezystancja w stanie przewodzenia 9mΩ. Wykonany w obudowie SO-8 przystosowanej do montażu powierzchniowego SMD.

Dane techniczne

Typ obudowy SO8
Prąd Id 19 A
Napięcie Uds 40 V
Biegunowość N-kanał
Montaż SMD
Typ tranzystora MOSFET

Koszty dostawy Cena nie zawiera ewentualnych kosztów płatności

Kraj wysyłki:

Opinie o produkcie (0)

do góry
Sklep jest w trybie podglądu
Pokaż pełną wersję strony
Sklep internetowy Shoper.pl