Mój koszyk:
0 item(s) - 0,00 zł
Nie masz produktów w koszyku.

 

 sklep@mselektronik.pl  
 (58) 629 24 69  
 +48 665 080 422  

Tranzystory - Super Promocje : DIP4

Zawężanie wyników
Typ tranzystora
  1. MOSFET (2)
Montaz
  1. THT (Przewlekany) (2)
Biegunowość tranzystora
  1. N-kanał (2)
Napięcie dren-źródło tranzystora
  1. 60 V (1)
  2. 100 V (1)
Prąd drenu tranzystora
  1. 1 A (1)
  2. 1.7 A (1)
Typ obudowy
  1. DIP4 (2)
  2. DPAK (TO252) (1)
  3. D2PAK (TO263) (2)
  4. SO8 (6)
  5. SOT23 (10)
  6. SOT223 (2)
  7. SOT343R (1)
  8. TO3 (1)
  9. TO39 (1)
  10. TO92 (4)
  11. TO126 (2)
  12. TO220 (11)
  13. TO220FP (1)
  14. TO247 (1)
  15. TO247AC (2)
  16. TO252 (4)
Producent
  1. VISHAY (2)

2 produkt(ów)

  1. IRFD110PBF - Tranzystor N-MOSFET 100V 1A 1.3W 540mR DIP

    Tranzystor N-MOSFET 100V 1A 1.3W 540mR DIP

    Kod towaru: IRFD110PBF

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 100V i prądzie drenu 1A. Dopuszczalna strata mocy 1,3W. Rezystancja w stanie przewodzenia 540mΩ. Wykonany w obudowie DIP przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,39 zł Brutto 0,48 zł
  2. IRLD014PBF - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 1.7A 1.3W 200mR DIP4

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 1.7A 1.3W 200mR DIP4

    Kod towaru: IRLD014PBF

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    5 + 0,95 zł 1,17 zł
    10 + 0,85 zł 1,05 zł
    15 + 0,69 zł 0,85 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 1,7A. Dopuszczalna strata mocy 1,3W. Rezystancja w stanie przewodzenia 200mΩ. Wykonany w obudowie DIP-4 przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,95 zł Brutto 1,17 zł

2 produkt(ów)

Darmowa dostawa na zamówienia powyżej 250 zł
© 1991 - 2018 MS Elektronik. All Rights Reserved.