Mój koszyk:
0 item(s) - 0,00 zł
Nie masz produktów w koszyku.

sklep@mselektronik.pl

(58) 629 24 69

+48 665 080 422

Tranzystory unipolarne (polowe)

Tranzystor to najczęściej trzy końcówkowy element półprzewodnikowy za pomocą, którego steruje się przepływem dużego prądu przy pomocy prądu mniejszego czyli działa podobnie jak przełącznik. Umożliwia on również przepływ i wzmacnianie sygnału cyfrowego. Tranzystory mogą występować w rożnego typu obudowach. Różnią się między sobą parametrami.

W elektronicznym sklepie mselektronik.pl znajdują się tranzystory unipolarne ( polowe ) stosowane często jako klucze włączające rożnego typu podzespoły, gdzie wymagane jest sterowanie dużymi obciążeniami. Prąd płynący w tych tranzystorach zależy od wartości przyłożonego napięcia. Mogą one występować z kanałem typu N lub P. Tranzystory polowe FET dzielimy na złączowe (JFET) lub z izolowaną bramką (MOSFET). Do głównych parametrów tranzystorów unipolarnych zaliczany:

• rezystancję otwartego drenu

• maksymalny prąd drenu

• maksymalne napięcie bramka-źródło

• maksymalną moc strat

Tranzystory polowe mogą pracować jako wzmacniacze, wyłączniki analogowe, rezystory sterowane napięciem

Zapraszamy do naszej bogatej oferty tranzystorów polowych w konkurencyjnych cenach. Oferujemy produkty tylko najlepszych producentów. Tranzystory unipolarne dostępne są w obudowach do montażu przewlekanego THT i powierzchniowego SMD. Jesteśmy przekonani, że znajdziecie tutaj Państwo tranzystor potrzebny do Waszych zastosowań. W razie braku takiego elementu zachęcamy do kontaktu z naszym działem handlowym.

Zawężanie wyników
Typ tranzystora
  1. JFET (1)
  2. MOSFET (220)
Biegunowość tranzystora
  1. N-kanał (167)
  2. N + P-kanał (5)
  3. P-kanał (49)
Montaż
  1. SMD (Powierzchniowy) (92)
  2. THT (Przewlekany) (129)
Napięcie dren-źródło tranzystora
  1. 20 V (13)
  2. 25 V (1)
  3. 30 V (24)
  4. 40 V (9)
  5. 50 V (4)
  6. 55 V (41)
  7. 60 V (19)
  8. 70 V (4)
  9. 75 V (4)
  10. 80 V (1)
  11. 100 V (47)
  12. 150 V (2)
  13. 200 V (20)
  14. 240 V (1)
  15. 300 V (1)
  16. 400 V (4)
  17. 500 V (13)
  18. 600 V (5)
  19. 800 V (4)
  20. 900 V (2)
  21. 1000 V (2)
Prąd drenu tranzystora
  1. 6.5 mA (1)
  2. 130 mA (1)
  3. 170 mA (2)
  4. 220 mA (1)
  5. 300 mA (1)
  6. 330 mA (1)
  7. 350 mA (1)
  8. 500 mA (1)
  9. 610 mA (1)
  10. 1 A (2)
  11. 1.2 A (2)
  12. 1.4 A (1)
  13. 1.5 A (1)
  14. 1.7 A (1)
  15. 1.8 A (2)
  16. 1.9 A (2)
  17. 2.3 A (2)
  18. 2.4 A (2)
  19. 2.5 A (1)
  20. 2.9 A (1)
  21. 3 A (2)
  22. 3.1 A (1)
  23. 3.3 A (1)
  24. 3.4 A (1)
  25. 3.5 A (1)
  26. 3.7 A (1)
  27. 3.8 A (1)
  28. 4 A (2)
  29. 4.2 A (1)
  30. 4.3 A (6)
  31. 4.4 A (1)
  32. 4.5 A (1)
  33. 4.6 A (1)
  34. 4.7 A (3)
  35. 4.9 A (3)
  36. 5 A (1)
  37. 5.3 A (3)
  38. 5.5 A (1)
  39. 5.6 A (1)
  40. 5.8 A (2)
  41. 6 A (1)
  42. 6.2 A (1)
  43. 6.5 A (2)
  44. 6.6 A (1)
  45. 6.8 A (2)
  46. 7 A (1)
  47. 8 A (3)
  48. 8.8 A (1)
  49. 9 A (2)
  50. 9.1 A (2)
  51. 9.2 A (2)
  52. 9.5 A (1)
  53. 9.7 A (1)
  54. 9.8 A (1)
  55. 10 A (5)
  56. 11 A (7)
  57. 12 A (2)
  58. 13 A (2)
  59. 14 A (3)
  60. 15 A (1)
  61. 16 A (2)
  62. 17 A (9)
  63. 18 A (6)
  64. 19 A (2)
  65. 20 A (5)
  66. 21 A (1)
  67. 23 A (3)
  68. 26 A (1)
  69. 27 A (1)
  70. 28 A (4)
  71. 30 A (2)
  72. 31 A (3)
  73. 33 A (2)
  74. 35 A (2)
  75. 36 A (3)
  76. 37 A (1)
  77. 39 A (1)
  78. 40 A (2)
  79. 41 A (2)
  80. 42 A (3)
  81. 43 A (2)
  82. 44 A (1)
  83. 49 A (2)
  84. 50 A (1)
  85. 55 A (1)
  86. 57 A (1)
  87. 59 A (1)
  88. 60 A (1)
  89. 64 A (2)
  90. 65 A (2)
  91. 70 A (1)
  92. 72 A (2)
  93. 74 A (2)
  94. 76 A (1)
  95. 77 A (1)
  96. 79 A (1)
  97. 80 A (3)
  98. 82 A (1)
  99. 86 A (1)
  100. 89 A (1)
  101. 94 A (1)
  102. 97 A (2)
  103. 98 A (2)
  104. 100 A (1)
  105. 106 A (1)
  106. 110 A (1)
  107. 119 A (1)
  108. 120 A (1)
  109. 127 A (1)
  110. 130 A (3)
  111. 133 A (1)
  112. 134 A (1)
  113. 140 A (1)
  114. 150 A (1)
  115. 160 A (3)
  116. 162 A (1)
  117. 171 A (1)
  118. 180 A (3)
  119. 190 A (1)
  120. 200 A (1)
  121. 209 A (1)
  122. 210 A (4)
  123. 280 A (2)
  124. 290 A (1)
Typ obudowy
  1. DIP4 (3)
  2. DPAK (TO252) (8)
  3. D2PAK (TO263) (15)
  4. IPAK (6)
  5. SO8 (28)
  6. SOT23 (16)
  7. SOT223 (9)
  8. SOT227B (3)
  9. TO92 (1)
  10. TO220 (86)
  11. TO220FP (4)
  12. TO247 (26)
  13. TO247AD (1)
  14. TO252AA (13)
  15. TO264AA (2)
Producent
  1. FAIRCHILD (1)
  2. INFINEON (7)
  3. INTERNATIONAL RECTIFIER (139)
  4. IXYS (6)
  5. ST MICROELECTRONICS (16)
  6. TAIWAN SEMICONDUCTOR (4)
  7. VISHAY (31)

Produkty 1 do 10 z 222

Strona:
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5

  1. 2N7002 - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 300mA 250mW SOT23

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 300mA 250mW SOT23

    Kod towaru: 2N7002

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    25 + 0,074 zł 0,091 zł
    50 + 0,071 zł 0,087 zł
    100 + 0,059 zł 0,073 zł
    500 + 0,053 zł 0,065 zł
    1000 + 0,0499 zł 0,061 zł
    3000 + 0,0395 zł 0,049 zł

    Tranzystor polowy z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 300mA. Dopuszczalna strata mocy 250mW. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,074 zł Brutto 0,091 zł
  2. BF545A - Tranzystor polowy N-JFET 30V 6.5mA 0.25W SOT23

    Tranzystor polowy N-JFET 30V 6.5mA 0.25W SOT23

    Kod towaru: BF545A

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    1 + 0,95 zł 1,17 zł
    2 + 0,89 zł 1,09 zł
    5 + 0,84 zł 1,03 zł
    10 + 0,81 zł 1,00 zł

    Tranzystor polowy JFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 30V i prądzie drenu 6,5mA. Dopuszczalna strata mocy 250mW. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,95 zł Brutto 1,17 zł
  3. BS170 - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 500mA 0.83W TO92

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 500mA 0.83W TO92

    Kod towaru: BS170

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    10 + 0,219 zł 0,269 zł
    20 + 0,199 zł 0,245 zł
    50 + 0,189 zł 0,232 zł
    100 + 0,179 zł 0,22 zł
    500 + 0,173 zł 0,213 zł

    Tranzystor polowy z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 500mA. Dopuszczalna strata mocy 830mW. Wykonany w obudowie TO92 przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,219 zł Brutto 0,269 zł
  4. BSP170P - Tranzystor polowy P-MOSFET 60V 1.9A 1.8W 0.3R SOT223

    Tranzystor polowy P-MOSFET 60V 1.9A 1.8W 0.3R SOT223

    Kod towaru: BSP170P

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    25 + 1,46 zł 1,80 zł
    50 + 1,09 zł 1,34 zł
    100 + 0,95 zł 1,17 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem P o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 1,9A. Dopuszczalna strata mocy 1,8W. Wykonany w obudowie SOT223 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 1,46 zł Brutto 1,80 zł
  5. BSP320S - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 2.9A 1.8W 0.12R SOT223

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 2.9A 1.8W 0.12R SOT223

    Kod towaru: BSP320S

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 2,9A. Dopuszczalna strata mocy 1,8W. Rezystancja w stanie przewodzenia 0.12Ω. Wykonany w obudowie SOT223 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej

    Special Price Netto 0,99 zł Brutto 1,22 zł

    Special Price Netto 0,79 zł Brutto 0,97 zł

    Wyprzedaż
  6. BSP89 - Tranzystor polowy N-MOSFET 240V 350mA 1.8W 6.0R SOT223

    Tranzystor polowy N-MOSFET 240V 350mA 1.8W 6.0R SOT223

    Kod towaru: BSP89

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 240V i prądzie drenu 350mA. Dopuszczalna strata mocy 1,8W. Rezystancja w stanie przewodzenia 6Ω. Wykonany w obudowie SOT223 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej

    Special Price Netto 0,99 zł Brutto 1,22 zł

    Special Price Netto 0,65 zł Brutto 0,80 zł

    Wyprzedaż
  7. BSS123 - Tranzystor polowy N-MOSFET SMD 100V 170mA 0.36W 6R SOT23

    Tranzystor polowy N-MOSFET SMD 100V 170mA 0.36W 6R SOT23

    Kod towaru: BSS123

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    25 + 0,077 zł 0,095 zł
    100 + 0,074 zł 0,091 zł
    200 + 0,071 zł 0,087 zł
    500 + 0,067 zł 0,082 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 100V i prądzie drenu 170A. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 6Ω. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,077 zł Brutto 0,095 zł
  8. BSS138 - Tranzystor polowy N-MOSFET SMD 50V 220mA 0.36W 3.5R SOT23

    Tranzystor polowy N-MOSFET SMD 50V 220mA 0.36W 3.5R SOT23

    Kod towaru: BSS138

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    25 + 0,082 zł 0,101 zł
    100 + 0,077 zł 0,095 zł
    200 + 0,071 zł 0,087 zł
    500 + 0,067 zł 0,082 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 50V i prądzie drenu 220mA. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 3,5Ω. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,082 zł Brutto 0,101 zł
  9. BSS83P - Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 60V 330mA 0.36W 2R SOT23

    Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 60V 330mA 0.36W 2R SOT23

    Kod towaru: BSS83P

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    10 + 0,159 zł 0,196 zł
    50 + 0,148 zł 0,182 zł
    100 + 0,1425 zł 0,175 zł
    200 + 0,137 zł 0,169 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem P o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 330mA. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 2Ω. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,159 zł Brutto 0,196 zł
  10. BSS84 - Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 50V 130mA 0.36W 10R SOT23

    Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 50V 130mA 0.36W 10R SOT23

    Kod towaru: BSS84

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    10 + 0,099 zł 0,122 zł
    50 + 0,086 zł 0,106 zł
    100 + 0,079 zł 0,097 zł
    200 + 0,0744 zł 0,092 zł
    500 + 0,0715 zł 0,088 zł
    1000 + 0,069 zł 0,085 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem P o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 50V i prądzie drenu 130mA. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 10Ω. Wykonany w obudowie SOT223 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,099 zł Brutto 0,122 zł

Produkty 1 do 10 z 222

Strona:
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5

Darmowa dostawa na zamówienia powyżej 499 zł
© 1991 - 2017 MS Elektronik. All Rights Reserved.