Mój koszyk:
0 item(s) - 0,00 zł
Nie masz produktów w koszyku.

 

 sklep@mselektronik.pl  
 (58) 629 24 69  
 +48 665 080 422  

Tranzystory unipolarne (polowe)

Tranzystor to najczęściej trzy końcówkowy element półprzewodnikowy za pomocą, którego steruje się przepływem dużego prądu przy pomocy prądu mniejszego czyli działa podobnie jak przełącznik. Umożliwia on również przepływ i wzmacnianie sygnału cyfrowego. Tranzystory mogą występować w rożnego typu obudowach. Różnią się między sobą parametrami.

W elektronicznym sklepie mselektronik.pl znajdują się tranzystory unipolarne ( polowe ) stosowane często jako klucze włączające rożnego typu podzespoły, gdzie wymagane jest sterowanie dużymi obciążeniami. Prąd płynący w tych tranzystorach zależy od wartości przyłożonego napięcia. Mogą one występować z kanałem typu N lub P. Tranzystory polowe FET dzielimy na złączowe (JFET) lub z izolowaną bramką (MOSFET). Do głównych parametrów tranzystorów unipolarnych zaliczany:

• rezystancję otwartego drenu

• maksymalny prąd drenu

• maksymalne napięcie bramka-źródło

• maksymalną moc strat

Tranzystory polowe mogą pracować jako wzmacniacze, wyłączniki analogowe, rezystory sterowane napięciem

Zapraszamy do naszej bogatej oferty tranzystorów polowych w konkurencyjnych cenach. Oferujemy produkty tylko najlepszych producentów. Tranzystory unipolarne dostępne są w obudowach do montażu przewlekanego THT i powierzchniowego SMD. Jesteśmy przekonani, że znajdziecie tutaj Państwo tranzystor potrzebny do Waszych zastosowań. W razie braku takiego elementu zachęcamy do kontaktu z naszym działem handlowym.

Zawężanie wyników
Typ tranzystora
  1. MOSFET (114)
Montaz
  1. SMD (Powierzchniowy) (53)
  2. THT (Przewlekany) (61)
Biegunowość tranzystora
  1. N-kanał (84)
  2. N + P-kanał (2)
  3. P-kanał (28)
Napięcie dren-źródło tranzystora
  1. 20 V (4)
  2. 30 V (12)
  3. 40 V (8)
  4. 50 V (4)
  5. 55 V (29)
  6. 60 V (7)
  7. 70 V (1)
  8. 75 V (1)
  9. 100 V (26)
  10. 150 V (1)
  11. 200 V (10)
  12. 300 V (1)
  13. 400 V (1)
  14. 500 V (5)
  15. 600 V (1)
  16. 900 V (1)
  17. 1000 V (2)
Prąd drenu tranzystora
  1. 130 mA (1)
  2. 170 mA (1)
  3. 220 mA (1)
  4. 300 mA (1)
  5. 330 mA (1)
  6. 500 mA (1)
  7. 1 A (1)
  8. 1.2 A (1)
  9. 1.4 A (1)
  10. 1.7 A (1)
  11. 1.8 A (2)
  12. 1.9 A (2)
  13. 2.3 A (2)
  14. 2.4 A (2)
  15. 3 A (2)
  16. 3.1 A (1)
  17. 3.4 A (1)
  18. 3.8 A (1)
  19. 4.3 A (2)
  20. 4.4 A (1)
  21. 4.7 A (2)
  22. 4.9 A (1)
  23. 5 A (1)
  24. 5.6 A (1)
  25. 5.8 A (1)
  26. 6.5 A (2)
  27. 6.6 A (1)
  28. 6.8 A (2)
  29. 7 A (1)
  30. 7.3 A (1)
  31. 8 A (1)
  32. 9.1 A (1)
  33. 9.2 A (1)
  34. 10 A (1)
  35. 11 A (3)
  36. 12 A (1)
  37. 14 A (3)
  38. 16 A (1)
  39. 17 A (6)
  40. 18 A (5)
  41. 19 A (1)
  42. 20 A (2)
  43. 23 A (2)
  44. 26 A (1)
  45. 28 A (2)
  46. 30 A (2)
  47. 31 A (1)
  48. 33 A (2)
  49. 36 A (3)
  50. 37 A (1)
  51. 39 A (1)
  52. 41 A (1)
  53. 42 A (1)
  54. 43 A (1)
  55. 49 A (1)
  56. 50 A (1)
  57. 57 A (1)
  58. 64 A (1)
  59. 65 A (1)
  60. 72 A (1)
  61. 74 A (2)
  62. 79 A (1)
  63. 80 A (1)
  64. 82 A (1)
  65. 94 A (1)
  66. 98 A (2)
  67. 100 A (1)
  68. 110 A (2)
  69. 119 A (1)
  70. 127 A (1)
  71. 130 A (2)
  72. 133 A (1)
  73. 134 A (1)
  74. 160 A (1)
  75. 162 A (1)
  76. 171 A (1)
  77. 180 A (1)
  78. 190 A (1)
  79. 210 A (1)
  80. 280 A (1)
  81. 290 A (1)
Typ obudowy
  1. DIP4 (2)
  2. DPAK (TO252) (4)
  3. D2PAK (TO263) (9)
  4. IPAK (3)
  5. SO8 (14)
  6. SOT23 (9)
  7. SOT223 (5)
  8. SOT227B (1)
  9. TO92 (1)
  10. TO220 (40)
  11. TO220FP (2)
  12. TO247 (13)
  13. TO252 (11)
Producent
  1. FAIRCHILD (1)
  2. INFINEON (5)
  3. INTERNATIONAL RECTIFIER (79)
  4. IXYS (1)
  5. ON SEMICONDUCTOR (3)
  6. ST MICROELECTRONICS (2)
  7. TAIWAN SEMICONDUCTOR (2)
  8. VISHAY (13)

Produkty 1 do 10 z 114

Strona:
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5

  1. 2N7002 - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 300mA 250mW SOT23

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 300mA 250mW SOT23

    Kod towaru: 2N7002

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    50 + 0,041 zł 0,05 zł
    100 + 0,039 zł 0,048 zł
    250 + 0,037 zł 0,046 zł

    Tranzystor polowy z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 300mA. Dopuszczalna strata mocy 250mW. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,041 zł Brutto 0,05 zł
  2. BS170 - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 500mA 0.83W TO92

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 500mA 0.83W TO92

    Kod towaru: BS170

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    100 + 0,25 zł 0,31 zł
    200 + 0,219 zł 0,27 zł
    500 + 0,207 zł 0,25 zł
    1000 + 0,199 zł 0,24 zł

    Tranzystor polowy z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 500mA. Dopuszczalna strata mocy 830mW. Wykonany w obudowie TO92 przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,25 zł Brutto 0,308 zł
  3. BSP170P - Tranzystor polowy P-MOSFET 60V 1.9A 1.8W 0.3R SOT223

    Tranzystor polowy P-MOSFET 60V 1.9A 1.8W 0.3R SOT223

    Kod towaru: BSP170P

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    25 + 1,25 zł 1,54 zł
    50 + 1,19 zł 1,46 zł
    100 + 1,09 zł 1,34 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem P o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 1,9A. Dopuszczalna strata mocy 1,8W. Wykonany w obudowie SOT223 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 1,25 zł Brutto 1,54 zł
  4. BSS123 - Tranzystor polowy N-MOSFET SMD 100V 170mA 0.36W 6R SOT23

    Tranzystor polowy N-MOSFET SMD 100V 170mA 0.36W 6R SOT23

    Kod towaru: BSS123

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    100 + 0,119 zł 0,146 zł
    500 + 0,113 zł 0,139 zł
    1000 + 0,107 zł 0,132 zł
    3000 + 0,099 zł 0,122 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 100V i prądzie drenu 170A. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 6Ω. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,119 zł Brutto 0,146 zł
  5. BSS138 - Tranzystor polowy N-MOSFET SMD 50V 220mA 0.36W 3.5R SOT23

    Tranzystor polowy N-MOSFET SMD 50V 220mA 0.36W 3.5R SOT23

    Kod towaru: BSS138

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    100 + 0,095 zł 0,117 zł
    500 + 0,086 zł 0,106 zł
    1000 + 0,079 zł 0,097 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 50V i prądzie drenu 220mA. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 3,5Ω. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,095 zł Brutto 0,117 zł
  6. BSS83P - Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 60V 330mA 0.36W 2R SOT23

    Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 60V 330mA 0.36W 2R SOT23

    Kod towaru: BSS83P

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    100 + 0,249 zł 0,306 zł
    200 + 0,229 zł 0,282 zł
    300 + 0,219 zł 0,269 zł
    500 + 0,209 zł 0,257 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem P o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 330mA. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 2Ω. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,249 zł Brutto 0,306 zł
  7. BSS84 - Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 50V 130mA 0.36W 10R SOT23

    Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 50V 130mA 0.36W 10R SOT23

    Kod towaru: BSS84

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem P o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 50V i prądzie drenu 130mA. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 10Ω. Wykonany w obudowie SOT223 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej

    Special Price Netto 0,099 zł Brutto 0,1218 zł

    Special Price Netto 0,0599 zł Brutto 0,0737 zł

    Wyprzedaż
  8. BUZ11 - Tranzystor polowy N-MOSFET 50V 30A 75W 0.04R TO220

    Tranzystor polowy N-MOSFET 50V 30A 75W 0.04R TO220

    Kod towaru: BUZ11

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    10 + 1,69 zł 2,08 zł
    50 + 1,59 zł 1,96 zł
    100 + 1,49 zł 1,83 zł
    200 + 1,42 zł 1,75 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 50V i prądzie drenu 30A. Dopuszczalna strata mocy 75W. Rezystancja w stanie przewodzenia 0.04Ω. Wykonany w obudowie TO220 przystosowanej do montażu THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 1,69 zł Brutto 2,08 zł
  9. FDD4141 - Tranzystor P-MOSFET 40V 50A 69W DPAK

    Tranzystor P-MOSFET 40V 50A 69W DPAK

    Kod towaru: FDD4141

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    500 + 1,59 zł 1,96 zł
    1000 + 1,29 zł 1,59 zł
    1500 + 1,09 zł 1,34 zł
    Dostawa 10-14dni od zamówienia Dowiedz się więcej
    Netto 1,59 zł Brutto 1,96 zł
  10. IRF1010NPBF - Tranzystor polowy N-MOSFET 55V 72A 130W 11mR TO220AB

    Tranzystor polowy N-MOSFET 55V 72A 130W 11mR TO220AB

    Kod towaru: IRF1010NPBF

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    1 + 1,69 zł 2,08 zł
    2 + 1,62 zł 1,99 zł
    3 + 1,54 zł 1,89 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 55V i prądzie drenu 72A. Dopuszczalna strata mocy 130W. Rezystancja w stanie przewodzenia 11mΩ.Wykonany w obudowie TO220 przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 1,69 zł Brutto 2,08 zł

Produkty 1 do 10 z 114

Strona:
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5

Darmowa dostawa na zamówienia powyżej 499 zł
© 1991 - 2018 MS Elektronik. All Rights Reserved.