Mój koszyk:
0 item(s) - 0,00 zł
Nie masz produktów w koszyku.

 

 sklep@mselektronik.pl  
 (58) 629 24 69  
 +48 665 080 422  

Tranzystory unipolarne (polowe)

Tranzystor to najczęściej trzy końcówkowy element półprzewodnikowy za pomocą, którego steruje się przepływem dużego prądu przy pomocy prądu mniejszego czyli działa podobnie jak przełącznik. Umożliwia on również przepływ i wzmacnianie sygnału cyfrowego. Tranzystory mogą występować w rożnego typu obudowach. Różnią się między sobą parametrami.

W elektronicznym sklepie mselektronik.pl znajdują się tranzystory unipolarne ( polowe ) stosowane często jako klucze włączające rożnego typu podzespoły, gdzie wymagane jest sterowanie dużymi obciążeniami. Prąd płynący w tych tranzystorach zależy od wartości przyłożonego napięcia. Mogą one występować z kanałem typu N lub P. Tranzystory polowe FET dzielimy na złączowe (JFET) lub z izolowaną bramką (MOSFET). Do głównych parametrów tranzystorów unipolarnych zaliczany:

• rezystancję otwartego drenu

• maksymalny prąd drenu

• maksymalne napięcie bramka-źródło

• maksymalną moc strat

Tranzystory polowe mogą pracować jako wzmacniacze, wyłączniki analogowe, rezystory sterowane napięciem

Zapraszamy do naszej bogatej oferty tranzystorów polowych w konkurencyjnych cenach. Oferujemy produkty tylko najlepszych producentów. Tranzystory unipolarne dostępne są w obudowach do montażu przewlekanego THT i powierzchniowego SMD. Jesteśmy przekonani, że znajdziecie tutaj Państwo tranzystor potrzebny do Waszych zastosowań. W razie braku takiego elementu zachęcamy do kontaktu z naszym działem handlowym.

Zawężanie wyników
Typ tranzystora
  1. MOSFET (71)
Montaz
  1. SMD (Powierzchniowy) (39)
  2. THT (Przewlekany) (32)
Biegunowość tranzystora
  1. N-kanał (46)
  2. N + P-kanał (2)
  3. P-kanał (23)
Napięcie dren-źródło tranzystora
  1. 20 V (4)
  2. 30 V (9)
  3. 40 V (4)
  4. 50 V (2)
  5. 55 V (18)
  6. 60 V (4)
  7. 70 V (1)
  8. 75 V (1)
  9. 100 V (15)
  10. 200 V (6)
  11. 300 V (1)
  12. 500 V (4)
  13. 600 V (1)
  14. 1000 V (1)
Prąd drenu tranzystora
  1. 130 mA (1)
  2. 300 mA (1)
  3. 330 mA (1)
  4. 500 mA (1)
  5. 1 A (1)
  6. 1.4 A (1)
  7. 1.7 A (1)
  8. 1.8 A (1)
  9. 1.9 A (1)
  10. 2.3 A (2)
  11. 2.4 A (2)
  12. 3.4 A (1)
  13. 3.8 A (1)
  14. 4.3 A (2)
  15. 4.7 A (2)
  16. 4.9 A (1)
  17. 5 A (1)
  18. 5.8 A (1)
  19. 6.5 A (1)
  20. 6.6 A (1)
  21. 6.8 A (2)
  22. 7 A (1)
  23. 7.3 A (1)
  24. 8 A (1)
  25. 10 A (1)
  26. 11 A (1)
  27. 12 A (1)
  28. 14 A (1)
  29. 16 A (1)
  30. 17 A (4)
  31. 18 A (4)
  32. 19 A (1)
  33. 20 A (2)
  34. 23 A (1)
  35. 28 A (2)
  36. 30 A (1)
  37. 31 A (1)
  38. 33 A (1)
  39. 36 A (3)
  40. 37 A (1)
  41. 41 A (1)
  42. 42 A (1)
  43. 43 A (1)
  44. 50 A (1)
  45. 72 A (1)
  46. 74 A (2)
  47. 80 A (1)
  48. 82 A (1)
  49. 98 A (1)
  50. 100 A (1)
  51. 110 A (1)
  52. 119 A (1)
  53. 130 A (1)
  54. 162 A (1)
  55. 210 A (1)
Typ obudowy
  1. DIP4 (2)
  2. DPAK (TO252) (4)
  3. D2PAK (TO263) (4)
  4. IPAK (1)
  5. SO8 (12)
  6. SOT23 (5)
  7. SOT223 (2)
  8. SOT227B (1)
  9. TO92 (1)
  10. TO220 (23)
  11. TO220FP (2)
  12. TO247 (3)
  13. TO252 (11)
Producent
  1. FAIRCHILD (1)
  2. INFINEON (2)
  3. INTERNATIONAL RECTIFIER (47)
  4. IXYS (1)
  5. ON SEMICONDUCTOR (1)
  6. ST MICROELECTRONICS (1)
  7. TAIWAN SEMICONDUCTOR (2)
  8. VISHAY (11)

Produkty 1 do 10 z 71

Strona:
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5

  1. 2N7002 - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 300mA 250mW SOT23

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 300mA 250mW SOT23

    Kod towaru: 2N7002

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    50 + 0,0399 zł 0,0491 zł
    100 + 0,0389 zł 0,0478 zł
    200 + 0,037 zł 0,0455 zł

    Tranzystor polowy z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 300mA. Dopuszczalna strata mocy 250mW. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,0399 zł Brutto 0,049 zł
  2. BS170 - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 500mA 0.83W TO92

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 500mA 0.83W TO92

    Kod towaru: BS170

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    100 + 0,24 zł 0,30 zł
    500 + 0,219 zł 0,27 zł
    1000 + 0,1999 zł 0,25 zł

    Tranzystor polowy z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 500mA. Dopuszczalna strata mocy 830mW. Wykonany w obudowie TO92 przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,24 zł Brutto 0,2952 zł
  3. BSS83P - Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 60V 330mA 0.36W 2R SOT23

    Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 60V 330mA 0.36W 2R SOT23

    Kod towaru: BSS83P

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    100 + 0,249 zł 0,306 zł
    500 + 0,229 zł 0,282 zł
    1000 + 0,219 zł 0,269 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem P o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 330mA. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 2Ω. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,249 zł Brutto 0,306 zł
  4. BSS84 - Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 50V 130mA 0.36W 10R SOT23

    Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 50V 130mA 0.36W 10R SOT23

    Kod towaru: BSS84

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    25 + 0,075 zł 0,092 zł
    50 + 0,069 zł 0,085 zł
    100 + 0,062 zł 0,076 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem P o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 50V i prądzie drenu 130mA. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 10Ω. Wykonany w obudowie SOT223 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,075 zł Brutto 0,092 zł
  5. BUZ11 - Tranzystor polowy N-MOSFET 50V 30A 75W 0.04R TO220

    Tranzystor polowy N-MOSFET 50V 30A 75W 0.04R TO220

    Kod towaru: BUZ11

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    10 + 1,69 zł 2,08 zł
    50 + 1,49 zł 1,83 zł
    100 + 1,39 zł 1,71 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 50V i prądzie drenu 30A. Dopuszczalna strata mocy 75W. Rezystancja w stanie przewodzenia 0.04Ω. Wykonany w obudowie TO220 przystosowanej do montażu THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 1,69 zł Brutto 2,08 zł
  6. FDD4141 - Tranzystor P-MOSFET 40V 50A 69W DPAK

    Tranzystor P-MOSFET 40V 50A 69W DPAK

    Kod towaru: FDD4141

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    500 + 1,59 zł 1,96 zł
    1000 + 1,29 zł 1,59 zł
    1500 + 1,09 zł 1,34 zł
    Dostawa 10-14dni od zamówienia Dowiedz się więcej
    Netto 1,59 zł Brutto 1,96 zł
  7. IRF1010NPBF - Tranzystor polowy N-MOSFET 55V 72A 130W 11mR TO220AB

    Tranzystor polowy N-MOSFET 55V 72A 130W 11mR TO220AB

    Kod towaru: IRF1010NPBF

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    1 + 1,69 zł 2,08 zł
    2 + 1,62 zł 1,99 zł
    3 + 1,54 zł 1,89 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 55V i prądzie drenu 72A. Dopuszczalna strata mocy 130W. Rezystancja w stanie przewodzenia 11mΩ.Wykonany w obudowie TO220 przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 1,69 zł Brutto 2,08 zł
  8. IRF1310NPBF - Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 42A 160W 36mR TO220

    Tranzystor polowy N-MOSFET 100V 42A 160W 36mR TO220

    Kod towaru: IRF1310NPBF

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    1 + 2,19 zł 2,69 zł
    2 + 2,09 zł 2,57 zł
    3 + 1,99 zł 2,45 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 100V i prądzie drenu 42A. Dopuszczalna strata mocy 160W. Rezystancja w stanie przewodzenia 36mΩ. Wykonany w obudowie TO220 przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 2,19 zł Brutto 2,69 zł
  9. IRF1404PBF - Tranzystor polowy N-MOSFET 40V 162A 200W 4mR TO220

    Tranzystor polowy N-MOSFET 40V 162A 200W 4mR TO220

    Kod towaru: IRF1404PBF

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    1 + 2,59 zł 3,19 zł
    5 + 2,39 zł 2,94 zł
    10 + 2,29 zł 2,82 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 40V i prądzie drenu 162A. Dopuszczalna strata mocy 200W. Rezystancja w stanie przewodzenia 4mΩ. Wykonany w obudowie TO220 przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 2,59 zł Brutto 3,19 zł
  10. IRF2807PBF - Tranzystor polowy N-MOSFET 75V 82A 200W 13mR TO220

    Tranzystor polowy N-MOSFET 75V 82A 200W 13mR TO220

    Kod towaru: IRF2807PBF

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    50 + 2,19 zł 2,69 zł
    100 + 2,09 zł 2,57 zł
    250 + 1,99 zł 2,45 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 75V i prądzie drenu 82A. Dopuszczalna strata mocy 200W. Rezystancja w stanie przewodzenia 13mΩ. Wykonany w obudowie TO220 przystosowanej do montażu przewlekanego THT. Termin dostawy 10-14 dni od zamówienia.

    Dowiedz się więcej
    Netto 2,19 zł Brutto 2,69 zł

Produkty 1 do 10 z 71

Strona:
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5

Darmowa dostawa na zamówienia powyżej 499 zł
© 1991 - 2018 MS Elektronik. All Rights Reserved.