Mój koszyk:
0 item(s) - 0,00 zł
Nie masz produktów w koszyku.

 

 sklep@mselektronik.pl  
 (58) 629 24 69  
 +48 665 080 422  

Tranzystory unipolarne : 60 V

Zawężanie wyników
Typ tranzystora
  1. MOSFET (4)
Montaz
  1. SMD (Powierzchniowy) (2)
  2. THT (Przewlekany) (2)
Biegunowość tranzystora
  1. N-kanał (3)
  2. P-kanał (1)
Napięcie dren-źródło tranzystora
  1. 20 V (4)
  2. 30 V (9)
  3. 40 V (4)
  4. 50 V (2)
  5. 55 V (17)
  6. 60 V (4)
  7. 70 V (1)
  8. 75 V (1)
  9. 100 V (14)
  10. 200 V (6)
  11. 300 V (1)
  12. 500 V (4)
  13. 1000 V (1)
Prąd drenu tranzystora
  1. 300 mA (1)
  2. 330 mA (1)
  3. 500 mA (1)
  4. 1.7 A (1)
Typ obudowy
  1. DIP4 (1)
  2. SOT23 (2)
  3. TO92 (1)
Producent
  1. INFINEON (1)
  2. VISHAY (1)

4 produkt(ów)

  1. 2N7002 - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 300mA 250mW SOT23

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 300mA 250mW SOT23

    Kod towaru: 2N7002

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    20 + 0,055 zł 0,068 zł
    100 + 0,0399 zł 0,049 zł
    200 + 0,036 zł 0,044 zł

    2N7002 to tranzystor polowy z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 300mA. Dopuszczalna strata mocy 250mW. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,055 zł Brutto 0,068 zł
  2. BS170 - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 500mA 0.83W TO92

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 500mA 0.83W TO92

    Kod towaru: BS170

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    100 + 0,2248 zł 0,2765 zł
    200 + 0,2081 zł 0,256 zł
    500 + 0,199 zł 0,2448 zł

    Tranzystor polowy z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 500mA. Dopuszczalna strata mocy 830mW. Wykonany w obudowie TO92 przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,2248 zł Brutto 0,277 zł
  3. BSS83P - Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 60V 330mA 0.36W 2R SOT23

    Tranzystor polowy P-MOSFET SMD 60V 330mA 0.36W 2R SOT23

    Kod towaru: BSS83P

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    100 + 0,24 zł 0,30 zł
    200 + 0,225 zł 0,28 zł
    500 + 0,214 zł 0,26 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem P o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 330mA. Dopuszczalna strata mocy 360mW. Rezystancja w stanie przewodzenia 2Ω. Wykonany w obudowie SOT23 przystosowanej do montażu SMD.

    Dowiedz się więcej
    Netto 0,24 zł Brutto 0,295 zł
  4. IRLD014PBF - Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 1.7A 1.3W 200mR DIP4

    Tranzystor polowy N-MOSFET 60V 1.7A 1.3W 200mR DIP4

    Kod towaru: IRLD014PBF

    Cena zależy od ilości zakupionego towaru.
    Ilość Cena netto Cena brutto
    1 + 1,20 zł 1,50 zł
    2 + 0,99 zł 1,20 zł
    5 + 0,87 zł 1,10 zł

    Tranzystor polowy MOSFET z kanałem N o maksymalnym dopuszczalnym napięciu dren-źródło 60V i prądzie drenu 1,7A. Dopuszczalna strata mocy 1,3W. Rezystancja w stanie przewodzenia 200mΩ. Wykonany w obudowie DIP-4 przystosowanej do montażu przewlekanego THT.

    Dowiedz się więcej
    Netto 1,20 zł Brutto 1,48 zł

4 produkt(ów)

Darmowa dostawa na zamówienia powyżej 250 zł
© 1991 - 2018 MS Elektronik. All Rights Reserved.